يشترى IXFB40N110Q3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXFB40N110Q3
- رقم القطعة:
- IXFB40N110Q3
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 1100V 40A PLUS264
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 19924 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXFB40N110Q3.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFB40N110Q3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFB40N110Q3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 6.5V @ 8mA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±30V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PLUS264™ |
| سلسلة: | HiPerFET™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 260 mOhm @ 20A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 1560W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-264-3, TO-264AA |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXFB40N110Q3 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 14000pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 300nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 1100V (1.1kV) 40A (Tc) 1560W (Tc) Through Hole PLUS264™ |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 1100V (1.1kV) |
| وصف: | MOSFET N-CH 1100V 40A PLUS264 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 40A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXFB40N110Q3
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFB40N110P | IXYS | MOSFET N-CH 1100V 40A PLUS264 | تحقيق |
|
IXFB44N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 44A PLUS264 | تحقيق |
 |
FDP038AN06A0 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 80A TO-220AB | تحقيق |
 |
IXTH98N20T | IXYS | MOSFET N-CH 200V 98A TO-247 | تحقيق |
 |
IXFX94N50P2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 94A PLUS247 | تحقيق |
 |
IPB081N06L3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3 | تحقيق |
 |
STD60NF3LLT4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 60A DPAK | تحقيق |
|
AUIRF3315S | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK | تحقيق |
 |
SI2305CDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3 | تحقيق |
 |
IRF7403PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC | تحقيق |
 |
STH275N8F7-2AG | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-2 | تحقيق |
|
IXFB44N100Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 44A PLUS264 | تحقيق |
 |
IRLHS2242TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 5.8A 2X2 PQFN | تحقيق |
 |
DMN6040SSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N CH 60V 5.5A 8-SO | تحقيق |
 |
AON6204 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 30V 14A 8DFN | تحقيق |
 |
STP70N10F4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 65A TO-220 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers