يشترى IXFB150N65X2 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXFB150N65X2
- رقم القطعة:
- IXFB150N65X2
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 650V 150A PLUS264
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12754 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXFB150N65X2.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFB150N65X2 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFB150N65X2 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5.5V @ 8mA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±30V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PLUS264™ |
| سلسلة: | HiPerFET™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 17 mOhm @ 75A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 1560W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-264-3, TO-264AA |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXFB150N65X2 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 20400pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 430nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 650V 150A (Tc) 1560W (Tc) Through Hole PLUS264™ |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 650V |
| وصف: | MOSFET N-CH 650V 150A PLUS264 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 150A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXFB150N65X2
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IRF6617TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET | تحقيق |
 |
DMN2550UFA-7B | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 0.6A X2DFN-3 | تحقيق |
 |
FK3503010L | Panasonic Electronic Components | MOSFET N-CH 30V 100MA SMINI3 | تحقيق |
 |
FCP170N60 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 22A TO220 | تحقيق |
|
FQP6N60 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220 | تحقيق |
 |
IXFK180N085 | IXYS | MOSFET N-CH 85V 180A TO-264AA | تحقيق |
 |
FDD3706 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 14.7A D-PAK | تحقيق |
 |
2V7002LT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23-3 | تحقيق |
|
IXFB120N50P2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 120A PLUS264 | تحقيق |
|
IXFB100N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264 | تحقيق |
 |
PSMN017-30LL,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH QFN3333 | تحقيق |
 |
BFL4026-1E | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 900V 3.5A | تحقيق |
|
IXFB132N50P3 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 132A PLUS264 | تحقيق |
|
IXFB100N50Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264 | تحقيق |
 |
STB18NF30 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 330V 18A D2PAK | تحقيق |
 |
IRF9510SPBF | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK | تحقيق |
|
IXFB170N30P | IXYS | MOSFET N-CH TO-264 | تحقيق |
|
IXFB110N60P3 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 110A PLUS264 | تحقيق |
 |
MTB50P03HDLG | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK | تحقيق |
 |
IRFPE50 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 800V 7.8A TO-247AC | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers