يشترى IXFA30N60X مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXFA30N60X
- رقم القطعة:
- IXFA30N60X
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 600V 30A TO-263
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12692 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXFA30N60X.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFA30N60X ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFA30N60X عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4.5V @ 4mA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-263 |
| سلسلة: | HiPerFET™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 155 mOhm @ 15A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 500W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXFA30N60X |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 2270pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 56nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 600V 30A (Tc) 500W (Tc) Surface Mount TO-263 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 600V |
| وصف: | MOSFET N-CH 600V 30A TO-263 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 30A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXFA30N60X
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
RTF010P02TL | Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 1A TUMT3 | تحقيق |
 |
IXFA3N120TRL | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263 | تحقيق |
 |
PMR780SN,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 0.55A SOT416 | تحقيق |
 |
NVMFS5C442NLT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 27A SO8FL | تحقيق |
 |
STB16NF06LT4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 16A D2PAK | تحقيق |
 |
BUK655R0-75C,127 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB | تحقيق |
 |
STU12N60M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 9A IPAK | تحقيق |
 |
NVTFS5820NLWFTWG | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 37A U8FL | تحقيق |
 |
BUK9832-55A,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 12A SOT223 | تحقيق |
|
IXFA3N80 | IXYS | MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-263 | تحقيق |
 |
IRF7811 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 28V 14A 8-SOIC | تحقيق |
 |
STF22NM60N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 16A TO-220FP | تحقيق |
|
IXFA36N30P3 | IXYS | MOSFET N-CH 300V 36A TO-263AA | تحقيق |
 |
IXFA34N65X2 | IXYS | MOSFET N-CH 650V 34A TO-263 | تحقيق |
 |
IRL530 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 15A TO-220AB | تحقيق |
|
NVMFS5C410NT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V SO8FL | تحقيق |
 |
RF4E070GNTR | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 7A 8-HUML | تحقيق |
|
IXFA3N120 | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263 | تحقيق |
 |
IXTH30N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 30A TO-247 | تحقيق |
|
STF28NM50N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 21A TO-220FP | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers