يشترى IXDD414YI مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXDD414YI
- رقم القطعة:
- IXDD414YI
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- IC MOSFET DRVR LS 14A SGL 5TO263
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16803 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXDD414YI.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXDD414YI ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXDD414YI عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - توريد: | 4.5 V ~ 35 V |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-263 (D²Pak) |
| سلسلة: | - |
| ارتفاع / سقوط الوقت (طباع): | 25ns, 22ns |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تردد الإدخال: | 1 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| الصانع الجزء رقم: | IXDD414YI |
| المنطق الجهد - فيل، فيه: | 0.8V, 3.5V |
| نوع المدخلات: | Non-Inverting |
| نوع البوابة: | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| وصف موسع: | Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting TO-263 (D²Pak) |
| تكوين مدفوعة: | Low-Side |
| وصف: | IC MOSFET DRVR LS 14A SGL 5TO263 |
| الحالي - ذروة الانتاج (المصدر، بالوعة): | 14A, 14A |
| قاعدة باعث تشبع الجهد (ماكس): | Single |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXDD414YI
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXDD404SIA-16 | IXYS | IC MOSFET DRVR DUAL 4A 16-SOIC | تحقيق |
 |
IXDD409YI | IXYS | IC HIGH CURR GATE DRVR 9A TO-263 | تحقيق |
|
IXDD414PI | IXYS | IC MOSFET DRIVER LS 14A SGL 8DIP | تحقيق |
|
IXDD430MCI | IXYS | IC DRVR MOSF/IGBT 30A TO220-5 | تحقيق |
|
IXDD414CI | IXYS | IC MOSFET DRV LS 14A SGL 5TO-220 | تحقيق |
|
IXDD404SI-16 | IXYS | IC MOSFET DRVR LS 4A DUAL 16SOIC | تحقيق |
|
IXDD415SI | IXYS | IC MOSFET DRVR DUAL 15A 28-SOIC | تحقيق |
|
IXDD414SI | IXYS | IC MOSFET DRVR 14A LOSIDE 14SOIC | تحقيق |
|
IXDD404SI | IXYS | IC MOSFET DRIVR LS 4A DUAL 8SOIC | تحقيق |
|
IXDD408CI | IXYS | IC MOSFET DRVR LS 8A SGL 5TO-220 | تحقيق |
|
IXDD409PI | IXYS | IC MOSFET DRVR 9A LOSIDE 8-DIP | تحقيق |
|
IXDD430MYI | IXYS | IC DRVR MOSF/IGBT 30A TO263-5 | تحقيق |
|
IXDD409CI | IXYS | IC MOSFET DRVR 9A LOSIDE TO220-5 | تحقيق |
|
IXDD430YI | IXYS | IC DRVR MOSF/IGBT 30A TO263-5 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers