يشترى IRLTS2242TRPBF مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IRLTS2242TRPBF
- رقم القطعة:
- IRLTS2242TRPBF
- وصف:
- MOSFET P-CH 20V 6.9A 6TSOP
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12978 Pieces
- ورقة البيانات:
- IRLTS2242TRPBF.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IRLTS2242TRPBF ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IRLTS2242TRPBF عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1.1V @ 10µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±12V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | 6-TSOP |
| سلسلة: | HEXFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 32 mOhm @ 6.9A, 4.5V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 2W (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | SOT-23-6 |
| اسماء اخرى: | IRLTS2242TRPBFTR SP001553280 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 17 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IRLTS2242TRPBF |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 905pF @ 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 12nC @ 4.5V |
| نوع FET: | P-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | P-Channel 20V 6.9A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 6-TSOP |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 2.5V, 4.5V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 20V |
| وصف: | MOSFET P-CH 20V 6.9A 6TSOP |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 6.9A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIRLTS2242TRPBF
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
GKI03026 | Sanken | MOSFET N-CH 30V 22A 8DFN | تحقيق |
 |
IXTF230N085T | IXYS | MOSFET N-CH 85V 130A ISOPLUS I4 | تحقيق |
 |
IRL5602STRRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK | تحقيق |
 |
IXTP05N100M | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 700MA TO-220 | تحقيق |
 |
IXTX210P10T | IXYS | MOSFET P-CH 100V 210A PLUS247 | تحقيق |
 |
IRLR3715ZPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 49A DPAK | تحقيق |
 |
SFT1443-TL-W | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 9A TP-FA DPAK | تحقيق |
|
IXTP3N110 | IXYS | MOSFET N-CH 1100V 3A TO-220 | تحقيق |
|
IRLTS6342TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 8.3A 6TSOP | تحقيق |
|
BSS340NWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | SMALL SIGNAL+P-CH | تحقيق |
 |
STE180NE10 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 180A ISOTOP | تحقيق |
|
IRF9630STRR | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK | تحقيق |
 |
SI4435DY | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC | تحقيق |
 |
IRF6894MTR1PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET | تحقيق |
|
IRFBF20STRR | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK | تحقيق |
 |
FQB7N30TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 300V 7A D2PAK | تحقيق |
 |
PHM18NQ15T,518 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 150V 19A SOT685-1 | تحقيق |
 |
IPI60R165CPAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 21A TO-262 | تحقيق |
 |
IRFP150A | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 43A TO-3 | تحقيق |
 |
IXTK90N15 | IXYS | MOSFET N-CH 150V 90A TO-264 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog