يشترى IRLR120NTRPBF مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IRLR120NTRPBF
- رقم القطعة:
- IRLR120NTRPBF
- وصف:
- MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17313 Pieces
- ورقة البيانات:
- IRLR120NTRPBF.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IRLR120NTRPBF ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IRLR120NTRPBF عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±16V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | D-Pak |
| سلسلة: | HEXFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 185 mOhm @ 6A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 48W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| اسماء اخرى: | IRLR120NPBFTR SP001574026 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IRLR120NTRPBF |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 440pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 20nC @ 5V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 100V 10A (Tc) 48W (Tc) Surface Mount D-Pak |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 4V, 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 100V |
| وصف: | MOSFET N-CH 100V 10A DPAK |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 10A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIRLR120NTRPBF
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SPP02N60S5HKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-220 | تحقيق |
 |
IRLR120NTRR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 10A DPAK | تحقيق |
|
IRLR120NPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 10A DPAK | تحقيق |
 |
NDF10N62ZG | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 620V 10A TO220FP | تحقيق |
 |
APT14F100B | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247 | تحقيق |
|
IRLR120NTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 10A DPAK | تحقيق |
 |
SPD25N06S2-40 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 29A DPAK | تحقيق |
|
IPP023NE7N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 120A TO220 | تحقيق |
 |
TK25A60X,S5X | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 25A TO-3PN | تحقيق |
|
IPP03N03LA | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 80A TO-220AB | تحقيق |
 |
ZVN2120GTC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 200V 0.32A SOT223 | تحقيق |
 |
FQB9N50CTM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 9A D2PAK | تحقيق |
 |
SIR403EDP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 40A PPAK 8SO | تحقيق |
 |
BUK9610-100B,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog