يشترى IRLL3303 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IRLL3303
- رقم القطعة:
- IRLL3303
- وصف:
- MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12780 Pieces
- ورقة البيانات:
- IRLL3303.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IRLL3303 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IRLL3303 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-223 |
| سلسلة: | HEXFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 31 mOhm @ 4.6A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 1W (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-261-4, TO-261AA |
| اسماء اخرى: | *IRLL3303 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IRLL3303 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 840pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 50nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 30V 4.6A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف: | MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 4.6A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIRLL3303
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IRLL3303TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223 | تحقيق |
 |
RJK2057DPA-00#J0 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 200V 20A WPAK | تحقيق |
 |
BSP298 E6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 400V 500MA SOT-223 | تحقيق |
 |
IRF1405ZSTRL-7P | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK7 | تحقيق |
|
IRLL3303TR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223 | تحقيق |
 |
GP1M020A050N | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 500V 20A TO3PN | تحقيق |
 |
IPZ40N04S53R1ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 8TDSON | تحقيق |
 |
BSS123TA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 | تحقيق |
|
IRLL3303PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223 | تحقيق |
 |
IXTR120P20T | IXYS | MOSFET P-CH 200V 90A ISOPLUS247 | تحقيق |
|
ZVP3306FTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 60V 0.09A SOT23-3 | تحقيق |
 |
STI400N4F6 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK | تحقيق |
 |
IRLR110TRL | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK | تحقيق |
 |
CSD17552Q5A | Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 17A 8SON | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog