يشترى IRLBA1304P مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IRLBA1304P
- رقم القطعة:
- IRLBA1304P
- وصف:
- MOSFET N-CH 40V 185A SUPER-220
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14449 Pieces
- ورقة البيانات:
- IRLBA1304P.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IRLBA1304P ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IRLBA1304P عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | SUPER-220™ (TO-273AA) |
| سلسلة: | HEXFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 4 mOhm @ 110A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 300W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | Super-220™-3 (Straight Leads) |
| اسماء اخرى: | *IRLBA1304P |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IRLBA1304P |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 7660pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 140nC @ 4.5V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 40V 185A (Tc) 300W (Tc) Through Hole SUPER-220™ (TO-273AA) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 40V |
| وصف: | MOSFET N-CH 40V 185A SUPER-220 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 185A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIRLBA1304P
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IRLBA1304PPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 185A SUPER-220 | تحقيق |
 |
AOD242 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 40V 14.5A TO252 | تحقيق |
 |
AON2401 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET P-CH 8V 8A 6DFN | تحقيق |
|
IRLBA3803P | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 179A SUPER-220 | تحقيق |
|
IRLBA1304 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 185A SUPER-220 | تحقيق |
 |
DMP2008UFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 14A POWERDI | تحقيق |
 |
AOK8N80L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 800V 7.4A TO247 | تحقيق |
 |
IXTP2N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 2A TO-220 | تحقيق |
 |
IPD50N06S4L08ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3 | تحقيق |
 |
IRFB11N50APBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 11A TO-220AB | تحقيق |
 |
FDB2670 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 19A TO-263AB | تحقيق |
 |
BSZ018NE2LSI | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 22A TSDSON-8 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers