يشترى IRL530STRR مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IRL530STRR
- رقم القطعة:
- IRL530STRR
- الصانع:
- Vishay / Siliconix
- وصف:
- MOSFET N-CH 100V 15A D2PAK
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13593 Pieces
- ورقة البيانات:
- IRL530STRR.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IRL530STRR ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IRL530STRR عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | D2PAK |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 160 mOhm @ 9A, 5V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 3.7W (Ta), 88W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IRL530STRR |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 930pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 28nC @ 5V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 100V 15A (Tc) 3.7W (Ta), 88W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 100V |
| وصف: | MOSFET N-CH 100V 15A D2PAK |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 15A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIRL530STRR
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
EPC8004 | EPC | TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE | تحقيق |
 |
IRL530L | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 15A TO-262 | تحقيق |
 |
IRL530S | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 15A D2PAK | تحقيق |
 |
SI1032R-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 140MA SC-75A | تحقيق |
 |
IRL530 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 15A TO-220AB | تحقيق |
|
IRL530PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 15A TO-220AB | تحقيق |
 |
ZVN0124Z | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 240V 0.16A TO92-3 | تحقيق |
 |
APT80SM120S | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | تحقيق |
 |
FDMS8025S | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V POWER56 | تحقيق |
|
IRL530STRL | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 15A D2PAK | تحقيق |
|
IRL530STRRPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 15A D2PAK | تحقيق |
 |
IXFH17N80Q | IXYS | MOSFET N-CH 800V 17A TO-247 | تحقيق |
 |
BUK7230-55A,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 38A DPAK | تحقيق |
 |
TPH3206LDB | Transphorm | GAN FET 650V 16A PQFN88 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers