يشترى IRGP30B120KD-EP مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IRGP30B120KD-EP
- رقم القطعة:
- IRGP30B120KD-EP
- وصف:
- IGBT 1200V 60A 300W TO247AD
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12625 Pieces
- ورقة البيانات:
- IRGP30B120KD-EP.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IRGP30B120KD-EP ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IRGP30B120KD-EP عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 1200V |
|---|---|
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 4V @ 15V, 60A |
| اختبار حالة: | 600V, 25A, 5 Ohm, 15V |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C: | - |
| تحويل الطاقة: | 1.07mJ (on), 1.49mJ (off) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-247AD |
| سلسلة: | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 300ns |
| السلطة - ماكس: | 300W |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 |
| اسماء اخرى: | *IRGP30B120KD-EP 63-6005PBF 63-6005PBF-ND SP001532874 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 14 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IRGP30B120KD-EP |
| نوع المدخلات: | Standard |
| نوع IGBT: | NPT |
| بوابة المسؤول: | 169nC |
| وصف موسع: | IGBT NPT 1200V 60A 300W Through Hole TO-247AD |
| وصف: | IGBT 1200V 60A 300W TO247AD |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم): | 120A |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 60A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIRGP30B120KD-EP
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXGH50N60B | IXYS | IGBT 600V 75A 300W TO247AD | تحقيق |
 |
IRGP30B120KDPBF | Infineon Technologies | IGBT 1200V 60A 300W TO247AC | تحقيق |
 |
RJP6085DPK-00#T0 | Renesas Electronics America | IGBT 600V 40A 178.5W TO-3P | تحقيق |
 |
IRGP30B60KD-EP | Infineon Technologies | IGBT 600V 60A 304W TO247AD | تحقيق |
 |
STGW20NC60VD | STMicroelectronics | IGBT 600V 60A 200W TO247 | تحقيق |
 |
SGL60N90DG3YDTU | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 900V 60A 180W TO264 | تحقيق |
 |
IRGBC30UD2 | Infineon Technologies | IGBT W/DIODE 600V 23A TO-220AB | تحقيق |
|
IRGP35B60PDPBF | Infineon Technologies | IGBT 600V 60A 308W TO247AC | تحقيق |
 |
APT80GA60LD40 | Microsemi Corporation | IGBT 600V 143A 625W TO264 | تحقيق |
 |
STGD18N40LZT4 | STMicroelectronics | IGBT 420V 25A 125W DPAK | تحقيق |
 |
APT200GN60B2G | Microsemi Corporation | IGBT 600V 283A 682W TO247 | تحقيق |
|
IRGP35B60PD-EP | Infineon Technologies | IGBT 600V 60A 308W TO247AD | تحقيق |
 |
IXGK50N60B2D1 | IXYS | IGBT 600V 75A 400W TO264 | تحقيق |
|
IRG7PH42U-EP | Infineon Technologies | IGBT 1200V 90A 385W TO247AD | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog