يشترى IRFPF50 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IRFPF50
- رقم القطعة:
- IRFPF50
- الصانع:
- Vishay / Siliconix
- وصف:
- MOSFET N-CH 900V 6.7A TO-247AC
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15275 Pieces
- ورقة البيانات:
- IRFPF50.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IRFPF50 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IRFPF50 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-247-3 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 1.6 Ohm @ 4A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 190W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 |
| اسماء اخرى: | *IRFPF50 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IRFPF50 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 2900pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 200nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 900V 6.7A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-247-3 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 900V |
| وصف: | MOSFET N-CH 900V 6.7A TO-247AC |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 6.7A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIRFPF50
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IRFPF30PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-247AC | تحقيق |
 |
IXFT14N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 14A TO-268 | تحقيق |
 |
FDP79N15 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 150V 79A TO-220 | تحقيق |
 |
NDF11N50ZH | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 12A TO220FP | تحقيق |
 |
IRF6728MTR1PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET | تحقيق |
 |
BSL211SPT | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 4.7A 6-TSOP | تحقيق |
 |
NVR4501NT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23 | تحقيق |
 |
BUK7E04-40A,127 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 75A I2PAK | تحقيق |
 |
SPP20N60S5HKSA1 | Infineon Technologies | HIGH POWER_LEGACY | تحقيق |
 |
FDA032N08 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 75V 120A TO-3P | تحقيق |
 |
SQJQ480E-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 80V POWERPAK 8X8L | تحقيق |
|
IRFPF50PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 900V 6.7A TO-247AC | تحقيق |
|
IRFPF40 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 900V 4.7A TO-247AC | تحقيق |
 |
RSS090P03FU7TB | Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC | تحقيق |
|
IRFPF30 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-247AC | تحقيق |
 |
FQB50N06LTM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 52.4A D2PAK | تحقيق |
|
IRFPF40PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 900V 4.7A TO-247AC | تحقيق |
 |
IRF1405ZSTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | تحقيق |
 |
CSD19533KCS | Texas Instruments | MOSFET N-CH 100V 86A TO220-3 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog