IRFBE30LPBF
IRFBE30LPBF
رقم القطعة:
IRFBE30LPBF
الصانع:
Vishay / Siliconix
وصف:
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
14782 Pieces
ورقة البيانات:
IRFBE30LPBF.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IRFBE30LPBF ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IRFBE30LPBF عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IRFBE30LPBF مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 250µA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:I2PAK
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:3 Ohm @ 2.5A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):125W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
اسماء اخرى:*IRFBE30LPBF
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:11 Weeks
الصانع الجزء رقم:IRFBE30LPBF
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:1300pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:78nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 800V 4.1A (Tc) 125W (Tc) Through Hole I2PAK
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):800V
وصف:MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:4.1A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات