IRF7853TRPBF
IRF7853TRPBF
رقم القطعة:
IRF7853TRPBF
الصانع:
International Rectifier (Infineon Technologies)
وصف:
MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-SOIC
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
17089 Pieces
ورقة البيانات:
IRF7853TRPBF.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IRF7853TRPBF ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IRF7853TRPBF عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IRF7853TRPBF مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4.9V @ 100µA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:8-SO
سلسلة:HEXFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:18 mOhm @ 8.3A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):2.5W (Ta)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
اسماء اخرى:IRF7853TRPBF-ND
IRF7853TRPBFTR
SP001554438
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:15 Weeks
الصانع الجزء رقم:IRF7853TRPBF
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:1640pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:39nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 100V 8.3A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):100V
وصف:MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-SOIC
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:8.3A (Ta)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات