يشترى IRF6810STRPBF مع BYCHPS
شراء مع ضمان
VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.1V @ 25µA |
---|---|
فغس (ماكس): | ±16V |
تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
تجار الأجهزة حزمة: | DIRECTFET S1 |
سلسلة: | HEXFET® |
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 5.2 mOhm @ 16A, 10V |
تبديد الطاقة (ماكس): | 2.1W (Ta), 20W (Tc) |
التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
حزمة / كيس: | DirectFET™ Isometric S1 |
اسماء اخرى: | IRF6810STRPBF-ND IRF6810STRPBFTR SP001530834 |
درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
تصاعد نوع: | Surface Mount |
مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
الصانع الجزء رقم: | IRF6810STRPBF |
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1038pF @ 13V |
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 11nC @ 4.5V |
نوع FET: | N-Channel |
FET الميزة: | - |
وصف موسع: | N-Channel 25V 16A (Ta), 50A (Tc) 2.1W (Ta), 20W (Tc) Surface Mount DIRECTFET S1 |
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 4.5V, 10V |
استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 25V |
وصف: | MOSFET N CH 25V 16A S1 |
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 16A (Ta), 50A (Tc) |
Email: | [email protected] |