يشترى IRF6609TR1PBF مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IRF6609TR1PBF
- رقم القطعة:
- IRF6609TR1PBF
- وصف:
- MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15429 Pieces
- ورقة البيانات:
- IRF6609TR1PBF.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IRF6609TR1PBF ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IRF6609TR1PBF عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.45V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | DIRECTFET™ MT |
| سلسلة: | HEXFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 2 mOhm @ 31A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 1.8W (Ta), 89W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | DirectFET™ Isometric MT |
| اسماء اخرى: | IRF6609TR1PBFTR SP001532204 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IRF6609TR1PBF |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 6290pF @ 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 69nC @ 4.5V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 20V 31A (Ta), 150A (Tc) 1.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 20V |
| وصف: | MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 31A (Ta), 150A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIRF6609TR1PBF
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IRF6604TR1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET | تحقيق |
|
IRF6609 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET | تحقيق |
|
IRF6609TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET | تحقيق |
 |
IRF6620TR1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET | تحقيق |
|
IRF6609TR1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET | تحقيق |
|
IRF6607 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET | تحقيق |
|
IRF6608TR1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET | تحقيق |
|
IRF6601 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 26A DIRECTFET | تحقيق |
|
IRF6602 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 11A DIRECTFET | تحقيق |
|
IRF6608 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET | تحقيق |
|
IRF6633TR1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET-MP | تحقيق |
|
IRF6614TR1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V DIRECTFET-ST | تحقيق |
|
IRF6607TR1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET | تحقيق |
|
IRF6603 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET | تحقيق |
|
IRF6603TR1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers