IRF630NSTRLPBF
IRF630NSTRLPBF
رقم القطعة:
IRF630NSTRLPBF
الصانع:
International Rectifier (Infineon Technologies)
وصف:
MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
17326 Pieces
ورقة البيانات:
IRF630NSTRLPBF.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IRF630NSTRLPBF ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IRF630NSTRLPBF عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IRF630NSTRLPBF مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 250µA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:D2PAK
سلسلة:HEXFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:300 mOhm @ 5.4A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):82W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
اسماء اخرى:IRF630NSTRLPBF-ND
IRF630NSTRLPBFTR
SP001564548
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:14 Weeks
الصانع الجزء رقم:IRF630NSTRLPBF
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:575pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:35nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 200V 9.3A (Tc) 82W (Tc) Surface Mount D2PAK
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):200V
وصف:MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:9.3A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات