IPU80R1K4CEBKMA1
IPU80R1K4CEBKMA1
رقم القطعة:
IPU80R1K4CEBKMA1
الصانع:
International Rectifier (Infineon Technologies)
وصف:
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO251-3
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
19809 Pieces
ورقة البيانات:
IPU80R1K4CEBKMA1.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IPU80R1K4CEBKMA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IPU80R1K4CEBKMA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IPU80R1K4CEBKMA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:3.9V @ 240µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PG-TO251-3
سلسلة:CoolMOS™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:1.4 Ohm @ 2.3A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):63W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
اسماء اخرى:SP001100620
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:IPU80R1K4CEBKMA1
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:570pF @ 100V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:23nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 800V 3.9A (Tc) 63W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):800V
وصف:MOSFET N-CH 800V 3.9A TO251-3
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:3.9A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات