يشترى IPU09N03LB G مع BYCHPS
شراء مع ضمان
VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2V @ 20µA |
---|---|
تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
تجار الأجهزة حزمة: | PG-TO251-3 |
سلسلة: | OptiMOS™ |
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 9.3 mOhm @ 50A, 10V |
تبديد الطاقة (ماكس): | 58W (Tc) |
التعبئة والتغليف: | Tube |
حزمة / كيس: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
اسماء اخرى: | IPU09N03LBGX SP000209115 |
درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
تصاعد نوع: | Through Hole |
مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 3 (168 Hours) |
الصانع الجزء رقم: | IPU09N03LB G |
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1600pF @ 15V |
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 13nC @ 5V |
نوع FET: | N-Channel |
FET الميزة: | - |
وصف موسع: | N-Channel 30V 50A (Tc) 58W (Tc) Through Hole PG-TO251-3 |
استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
وصف: | MOSFET N-CH 30V 50A IPAK |
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 50A (Tc) |
Email: | [email protected] |