يشترى IPS118N10N G مع BYCHPS
شراء مع ضمان
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 83µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-TO251-3 |
| سلسلة: | OptiMOS™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 11.8 mOhm @ 75A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 125W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| اسماء اخرى: | SP000475890 SP000680974 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IPS118N10N G |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 4320pF @ 50V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 65nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 100V 75A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO251-3 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 100V |
| وصف: | MOSFET N-CH 100V 75A TO251-3 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 75A (Tc) |
| Email: | [email protected] |