يشترى IPP65R065C7XKSA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 850µA |
---|---|
تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
تجار الأجهزة حزمة: | PG-TO-220-3 |
سلسلة: | CoolMOS™ C7 |
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 65 mOhm @ 17.1A, 10V |
تبديد الطاقة (ماكس): | 171W (Tc) |
التعبئة والتغليف: | Tube |
حزمة / كيس: | TO-220-3 |
اسماء اخرى: | SP001080100 |
درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
تصاعد نوع: | Through Hole |
مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
الصانع المهلة القياسية: | 20 Weeks |
الصانع الجزء رقم: | IPP65R065C7XKSA1 |
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 3020pF @ 400V |
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 64nC @ 10V |
نوع FET: | N-Channel |
FET الميزة: | - |
وصف موسع: | N-Channel 650V 33A (Tc) 171W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3 |
استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 650V |
وصف: | MOSFET N-CH 650V TO-220-3 |
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 33A (Tc) |
Email: | [email protected] |