IPP06CNE8N G
IPP06CNE8N G
رقم القطعة:
IPP06CNE8N G
الصانع:
International Rectifier (Infineon Technologies)
وصف:
MOSFET N-CH 85V 100A TO-220
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
14501 Pieces
ورقة البيانات:
IPP06CNE8N G.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IPP06CNE8N G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IPP06CNE8N G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IPP06CNE8N G مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 180µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PG-TO-220-3
سلسلة:OptiMOS™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:6.5 mOhm @ 100A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):214W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-220-3
اسماء اخرى:IPP06CNE8NGX
IPP06CNE8NGXK
SP000096464
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):3 (168 Hours)
الصانع الجزء رقم:IPP06CNE8N G
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:9240pF @ 40V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:138nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 85V 100A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):85V
وصف:MOSFET N-CH 85V 100A TO-220
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:100A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات