يشترى IPP030N10N3GXKSA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IPP030N10N3GXKSA1
- رقم القطعة:
- IPP030N10N3GXKSA1
- وصف:
- MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12605 Pieces
- ورقة البيانات:
- IPP030N10N3GXKSA1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IPP030N10N3GXKSA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IPP030N10N3GXKSA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 3.5V @ 275µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-TO-220-3 |
| سلسلة: | OptiMOS™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 3 mOhm @ 100A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 300W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-220-3 |
| اسماء اخرى: | IPP030N10N3 G IPP030N10N3 G-ND IPP030N10N3G SP000680768 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 14 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IPP030N10N3GXKSA1 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 14800pF @ 50V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 206nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 100V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3 |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 6V, 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 100V |
| وصف: | MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 100A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIPP030N10N3GXKSA1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IPP030N10N3GHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3 | تحقيق |
|
IPP032N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3 | تحقيق |
|
IPP034N08N5AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO220-3 | تحقيق |
|
IPP039N04LGXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3 | تحقيق |
|
IPP030N10N5AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO220-3 | تحقيق |
|
IPP037N08N3GHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3 | تحقيق |
|
IPP032N06N3GHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3 | تحقيق |
|
IPP037N08N3GE8181XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3 | تحقيق |
|
IPP034N03LGXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A TO-220-3 | تحقيق |
|
IPP034N03LGHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A TO-220-3 | تحقيق |
|
IPP03N03LA | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 80A TO-220AB | تحقيق |
|
IPP037N06L3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3 | تحقيق |
|
IPP039N04LGHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V TO220-3 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog