يشترى IPI037N08N3GXKSA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IPI037N08N3GXKSA1
- رقم القطعة:
- IPI037N08N3GXKSA1
- وصف:
- MOSFET N-CH 80V 100A
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14278 Pieces
- ورقة البيانات:
- IPI037N08N3GXKSA1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IPI037N08N3GXKSA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IPI037N08N3GXKSA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 3.5V @ 155µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-TO262-3 |
| سلسلة: | OptiMOS™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 3.75 mOhm @ 100A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 214W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| اسماء اخرى: | SP000680654 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 14 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IPI037N08N3GXKSA1 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 8110pF @ 40V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 117nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 80V 100A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO262-3 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 80V |
| وصف: | MOSFET N-CH 80V 100A |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 100A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIPI037N08N3GXKSA1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IPI030N10N3GHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3 | تحقيق |
|
IPI037N08N3GHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3 | تحقيق |
 |
BSS84WQ-7-F | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 50V 130MA SOT323 | تحقيق |
|
IPI037N06L3GHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3 | تحقيق |
 |
DMT10H015LCG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN | تحقيق |
|
IPI034NE7N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 100A TO262-3 | تحقيق |
 |
SI8824EDB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT | تحقيق |
 |
IXFT24N50Q | IXYS | MOSFET N-CH 500V 24A TO-268 | تحقيق |
|
IPI030N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 100A | تحقيق |
|
IPI032N06N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3 | تحقيق |
 |
VN2460N8-G | Microchip Technology | MOSFET N-CH 600V 0.2A SOT89-3 | تحقيق |
|
IPI032N06N3GAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 120A | تحقيق |
 |
NTLJS3180PZTBG | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-WDFN | تحقيق |
|
IPI03N03LA | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 80A I2PAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers