IPD80R450P7ATMA1
رقم القطعة:
IPD80R450P7ATMA1
الصانع:
International Rectifier (Infineon Technologies)
وصف:
MOSFET N-CH 800V 11A DPAK
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
15744 Pieces
ورقة البيانات:
IPD80R450P7ATMA1.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IPD80R450P7ATMA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IPD80R450P7ATMA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IPD80R450P7ATMA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:3.5V @ 220µA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-252
سلسلة:CoolMOS™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:450 mOhm @ 4.5A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):73W (Tc)
التعبئة والتغليف:Original-Reel®
حزمة / كيس:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
اسماء اخرى:IPD80R450P7ATMA1DKR
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
الصانع المهلة القياسية:12 Weeks
الصانع الجزء رقم:IPD80R450P7ATMA1
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:770pF @ 500V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:24nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:Super Junction
وصف موسع:N-Channel 800V 11A (Tc) 73W (Tc) Surface Mount TO-252
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):800V
وصف:MOSFET N-CH 800V 11A DPAK
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:11A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات