يشترى IPD65R600C6 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IPD65R600C6
- رقم القطعة:
- IPD65R600C6
- وصف:
- MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15310 Pieces
- ورقة البيانات:
- IPD65R600C6.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IPD65R600C6 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IPD65R600C6 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 3.5V @ 210µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-TO252-3 |
| سلسلة: | CoolMOS™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 600 mOhm @ 2.1A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 63W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Original-Reel® |
| حزمة / كيس: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| اسماء اخرى: | IPD65R600C6DKR IPD65R600C6DKR-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IPD65R600C6 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 440pF @ 100V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 23nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 650V 7.3A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 650V |
| وصف: | MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 7.3A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIPD65R600C6
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IPD65R600C6BTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252 | تحقيق |
|
IPD65R660CFDBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 6A TO252 | تحقيق |
|
IPD65R660CFDAATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO252-3 | تحقيق |
|
IPD65R600E6BTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3 | تحقيق |
|
IPD65R600E6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3 | تحقيق |
 |
IPD65R600C6ATMA1 | Infineon Technologies | LOW POWER_LEGACY | تحقيق |
|
IPD65R650CEATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 10.1A TO252 | تحقيق |
|
IPD65R380C6BTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3 | تحقيق |
|
IPD65R660CFDATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 6A TO252 | تحقيق |
|
IPD65R650CEAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 7A TO-252 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers