IPD60R650CEATMA1
IPD60R650CEATMA1
رقم القطعة:
IPD60R650CEATMA1
الصانع:
International Rectifier (Infineon Technologies)
وصف:
MOSFET N-CH 600V TO-252-3
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
17451 Pieces
ورقة البيانات:
IPD60R650CEATMA1.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IPD60R650CEATMA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IPD60R650CEATMA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IPD60R650CEATMA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:3.5V @ 200µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-252-3
سلسلة:CoolMOS™ CE
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:650 mOhm @ 2.4A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):63W (Tc)
التعبئة والتغليف:Original-Reel®
حزمة / كيس:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
اسماء اخرى:IPD60R650CEATMA1DKR
درجة حرارة التشغيل:-40°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:IPD60R650CEATMA1
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:440pF @ 100V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:20.5nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 600V 7A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount TO-252-3
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):600V
وصف:MOSFET N-CH 600V TO-252-3
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:7A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات