يشترى IPD068N10N3GBTMA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IPD068N10N3GBTMA1
- رقم القطعة:
- IPD068N10N3GBTMA1
- وصف:
- MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14762 Pieces
- ورقة البيانات:
- IPD068N10N3GBTMA1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IPD068N10N3GBTMA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IPD068N10N3GBTMA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 3.5V @ 90µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-TO252-3 |
| سلسلة: | OptiMOS™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 6.8 mOhm @ 90A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 150W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| اسماء اخرى: | IPD068N10N3 G IPD068N10N3 G-ND SP000469892 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IPD068N10N3GBTMA1 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 4910pF @ 50V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 68nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 100V 90A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 100V |
| وصف: | MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 90A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIPD068N10N3GBTMA1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
STL160NS3LLH7 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 160A POWERFLAT56 | تحقيق |
 |
BUK9E1R8-40E,127 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK | تحقيق |
 |
IPD068N10N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 90A | تحقيق |
|
IPD06N03LA G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 50A DPAK | تحقيق |
|
IPD060N03LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 | تحقيق |
|
IPD06N03LB G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A TO-252 | تحقيق |
|
IPD068P03L3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3 | تحقيق |
 |
IRF9640STRRPBF | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK | تحقيق |
|
IPD068P03L3GBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3 | تحقيق |
|
IPD060N03LGBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 | تحقيق |
 |
IXTH32P20T | IXYS | MOSFET P-CH 200V 32A TO-247 | تحقيق |
 |
IRFU4615PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 33A IPAK | تحقيق |
 |
IXTN46N50L | IXYS | MOSFET N-CH 500V 46A SOT-227B | تحقيق |
 |
NTDV20P06LT4G-VF01 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 15.5A DPAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers