IPB80N06S2H5ATMA2
IPB80N06S2H5ATMA2
رقم القطعة:
IPB80N06S2H5ATMA2
الصانع:
International Rectifier (Infineon Technologies)
وصف:
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
18391 Pieces
ورقة البيانات:
IPB80N06S2H5ATMA2.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IPB80N06S2H5ATMA2 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IPB80N06S2H5ATMA2 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IPB80N06S2H5ATMA2 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 230µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PG-TO263-3-2
سلسلة:OptiMOS™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:5.2 mOhm @ 80A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):300W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
اسماء اخرى:IPB80N06S2H5ATMA2-ND
IPB80N06S2H5ATMA2TR
SP000376884
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:14 Weeks
الصانع الجزء رقم:IPB80N06S2H5ATMA2
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:4400pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:155nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 55V 80A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):55V
وصف:MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:80A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات