يشترى IPB70N10S3L12ATMA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IPB70N10S3L12ATMA1
- رقم القطعة:
- IPB70N10S3L12ATMA1
- وصف:
- MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 19769 Pieces
- ورقة البيانات:
- IPB70N10S3L12ATMA1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IPB70N10S3L12ATMA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IPB70N10S3L12ATMA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.4V @ 83µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-TO263-3-2 |
| سلسلة: | OptiMOS™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 11.8 mOhm @ 70A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 125W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| اسماء اخرى: | IPB70N10S3L-12 IPB70N10S3L-12-ND SP000379631 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 26 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IPB70N10S3L12ATMA1 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 5550pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 80nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 100V 70A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 100V |
| وصف: | MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 70A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIPB70N10S3L12ATMA1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IPB70N10S3-12 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3 | تحقيق |
 |
IRLS4030-7PPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7 | تحقيق |
 |
SIHD5N50D-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK | تحقيق |
|
IPB70N10SL16ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3 | تحقيق |
 |
STP35NF10 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 40A TO-220 | تحقيق |
|
IPB70P04P409ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | تحقيق |
 |
IPB70N12S311ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL_100+ | تحقيق |
|
IPB70N12S3L12ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL_100+ | تحقيق |
 |
AOL1404 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 20V 18A 8ULTRASO | تحقيق |
|
IPB70N04S3-07 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3 | تحقيق |
 |
STD3NK50ZT4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 2.3A DPAK | تحقيق |
|
IPB70N04S406ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 70A TO263-3-2 | تحقيق |
 |
IXTP36N20T | IXYS | MOSFET N-CH 200V 36A TO-220 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers