IPB47N10S-33
IPB47N10S-33
رقم القطعة:
IPB47N10S-33
الصانع:
International Rectifier (Infineon Technologies)
وصف:
MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
14208 Pieces
ورقة البيانات:
IPB47N10S-33.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IPB47N10S-33 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IPB47N10S-33 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IPB47N10S-33 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 2mA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PG-TO263-3-2
سلسلة:SIPMOS®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:33 mOhm @ 33A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):175W (Tc)
التعبئة والتغليف:Cut Tape (CT)
حزمة / كيس:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
اسماء اخرى:IPB47N10S-33CT
IPB47N10S-33CT-ND
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:IPB47N10S-33
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:2500pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:105nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 100V 47A (Tc) 175W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):100V
وصف:MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:47A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات