IPB180N04S4LH0ATMA1
IPB180N04S4LH0ATMA1
رقم القطعة:
IPB180N04S4LH0ATMA1
الصانع:
International Rectifier (Infineon Technologies)
وصف:
MOSFET N-CH TO263-7
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
16235 Pieces
ورقة البيانات:
IPB180N04S4LH0ATMA1.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IPB180N04S4LH0ATMA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IPB180N04S4LH0ATMA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IPB180N04S4LH0ATMA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:2.2V @ 180µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PG-TO263-7-3
سلسلة:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:1 mOhm @ 100A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):250W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
اسماء اخرى:SP000979636
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:14 Weeks
الصانع الجزء رقم:IPB180N04S4LH0ATMA1
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:24440pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:310nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 40V 180A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):40V
وصف:MOSFET N-CH TO263-7
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:180A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات