يشترى IPB06N03LA مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IPB06N03LA
- رقم القطعة:
- IPB06N03LA
- وصف:
- MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18200 Pieces
- ورقة البيانات:
- IPB06N03LA.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IPB06N03LA ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IPB06N03LA عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2V @ 40µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-TO263-3-2 |
| سلسلة: | OptiMOS™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 5.9 mOhm @ 30A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 83W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Cut Tape (CT) |
| حزمة / كيس: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| اسماء اخرى: | IPB06N03LAINCT |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IPB06N03LA |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 2653pF @ 15V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 22nC @ 5V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 25V 50A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 25V |
| وصف: | MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 50A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIPB06N03LA
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IPB06N03LB | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK | تحقيق |
|
IPB06N03LAT | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK | تحقيق |
|
IPB06N03LA G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK | تحقيق |
|
IPB06N03LB G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK | تحقيق |
 |
IPB065N15N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7 | تحقيق |
|
IPB065N03L G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A TO-263-3 | تحقيق |
|
IPB065N10N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | تحقيق |
|
IPB065N06L G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK | تحقيق |
|
IPB065N15N3GE8187ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7 | تحقيق |
 |
RF6C055BCTCR | Rohm Semiconductor | PCH -20V -5.5A MIDDLE POWER MOSF | تحقيق |
|
IPB06CN10N G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3 | تحقيق |
|
IPB067N08N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers