IPB023N04NGATMA1
IPB023N04NGATMA1
رقم القطعة:
IPB023N04NGATMA1
الصانع:
International Rectifier (Infineon Technologies)
وصف:
MOSFET N-CH 40V 90A TO263-3
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
12376 Pieces
ورقة البيانات:
IPB023N04NGATMA1.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IPB023N04NGATMA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IPB023N04NGATMA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IPB023N04NGATMA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 95µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PG-TO263-2
سلسلة:OptiMOS™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:2.3 mOhm @ 90A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):167W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
اسماء اخرى:IPB023N04N G
IPB023N04N G-ND
IPB023N04N GTR-ND
SP000391519
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:IPB023N04NGATMA1
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:10000pF @ 20V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:120nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 40V 90A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount PG-TO263-2
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):40V
وصف:MOSFET N-CH 40V 90A TO263-3
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:90A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات