HN3C51F-BL(TE85L,F - Toshiba Semiconductor and Storage - الترانزستورات - ثنائي القطب (بجت) - صفائف HN3C51F-BL(TE85L,F

HN3C51F-BL(TE85L,F

رقم القطعة:: HN3C51F-BL(TE85L,F

الصانع:: Toshiba Semiconductor

وصف:: TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6

حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

الكمية المتوفرة:: 13263 Pieces

ورقة البيانات:: HN3C51F-BL(TE85L,F.pdf

تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل HN3C51F-BL(TE85L,F ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك HN3C51F-BL(TE85L,F عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.

يشترى HN3C51F-BL(TE85L,F مع BYCHPS

شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس):	120V
اصلاحات تشبع (ماكس) @ باء، جيم:	300mV @ 1mA, 10mA
نوع الترانزستور:	2 NPN (Dual)
تجار الأجهزة حزمة:	SM6
سلسلة:	-
السلطة - ماكس:	300mW
التعبئة والتغليف:	Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:	SC-74, SOT-457
اسماء اخرى:	HN3C51F-BL (TE85L,F HN3C51F-BL(TE85L,F) HN3C51F-BL(TE85LF)TR HN3C51F-BL(TE85LF)TR-ND HN3C51F-BL(TE85LFTR HN3C51F-BLTE85LF HN3C51FBL(TE85LFTR HN3C51FBL(TE85LFTR-ND
درجة حرارة التشغيل:	150°C (TJ)
تصاعد نوع:	Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):	1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:	HN3C51F-BL(TE85L,F
تردد - تحول:	100MHz
وصف موسع:	Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 120V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SM6
وصف:	TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6
العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE:	350 @ 2mA, 6V
الحالي - جامع القطع (ماكس):	100nA (ICBO)
الحالي - جامع (IC) (ماكس):	100mA
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لHN3C51F-BL(TE85L,F

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
HN3C51F-GR(TE85L,F	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6	تحقيق
FFB2907A	Fairchild/ON Semiconductor	TRANS 2PNP 60V 0.6A SC70-6	تحقيق
UMX2NTR	Rohm Semiconductor	TRANS 2NPN 50V 0.15A 6UMT	تحقيق
MMDT4146-7-F	Diodes Incorporated	TRANS NPN/PNP 25V 0.2A SOT363	تحقيق
L6221CD013TR	STMicroelectronics	TRANS 4NPN DARL 60V 1.2A 20SOIC	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار