يشترى GP1M010A080N مع BYCHPS
شراء مع ضمان
GP1M010A080N
- رقم القطعة:
- GP1M010A080N
- وصف:
- MOSFET N-CH 900V 10A TO3PN
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12098 Pieces
- ورقة البيانات:
- GP1M010A080N.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل GP1M010A080N ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك GP1M010A080N عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-3PN |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 1.05 Ohm @ 5A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 312W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-3P-3, SC-65-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | GP1M010A080N |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 2336pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 53nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 900V 10A (Tc) 312W (Tc) Through Hole TO-3PN |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 900V |
| وصف: | MOSFET N-CH 900V 10A TO3PN |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 10A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لGP1M010A080N
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
GP1M010A080H | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220 | تحقيق |
 |
GP1M016A025PG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 250V 16A IPAK | تحقيق |
|
GP1M015A050H | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 500V 14A TO220 | تحقيق |
|
GP1M010A060H | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 600V 10A TO220 | تحقيق |
 |
GP1M010A080FH | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220F | تحقيق |
|
GP1M010A060FH | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 600V 10A TO220F | تحقيق |
|
GP1M012A060FH | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 600V 12A TO220F | تحقيق |
|
GP1M015A050FH | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 500V 14A TO220F | تحقيق |
|
GP1M011A050FSH | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 500V 10A TO220F | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers