GP1M003A090C
GP1M003A090C
رقم القطعة:
GP1M003A090C
الصانع:
Global Power Technologies Group
وصف:
MOSFET N-CH 900V 2.5A DPAK
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
16158 Pieces
ورقة البيانات:
GP1M003A090C.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل GP1M003A090C ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك GP1M003A090C عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى GP1M003A090C مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 250µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:D-Pak
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:5.1 Ohm @ 1.25A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):94W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
اسماء اخرى:1560-1157-2
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:GP1M003A090C
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:748pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:17nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 900V 2.5A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount D-Pak
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):900V
وصف:MOSFET N-CH 900V 2.5A DPAK
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:2.5A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات