GB10SLT12-252
GB10SLT12-252
رقم القطعة:
GB10SLT12-252
الصانع:
GeneSiC Semiconductor
وصف:
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
14992 Pieces
ورقة البيانات:
GB10SLT12-252.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل GB10SLT12-252 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك GB10SLT12-252 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى GB10SLT12-252 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا:2V @ 10A
الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس):1200V (1.2kV)
تجار الأجهزة حزمة:TO-252
سرعة:No Recovery Time > 500mA (Io)
سلسلة:-
عكس وقت الاسترداد (TRR):0ns
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
اسماء اخرى:1242-1140
GB10SLT12252
درجة حرارة التشغيل - تقاطع:-55°C ~ 175°C
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:18 Weeks
الصانع الجزء رقم:GB10SLT12-252
وصف موسع:Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 10A Surface Mount TO-252
نوع الصمام الثنائي:Silicon Carbide Schottky
وصف:DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252
التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي:250µA @ 1200V
الحالي - متوسط ​​مصحح (أيو):10A
السعة @ الواقع الافتراضي، F:520pF @ 1V, 1MHz
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات