GB01SLT12-220
GB01SLT12-220
رقم القطعة:
GB01SLT12-220
الصانع:
GeneSiC Semiconductor
وصف:
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 1A TO220AC
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
17157 Pieces
ورقة البيانات:
GB01SLT12-220.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل GB01SLT12-220 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك GB01SLT12-220 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى GB01SLT12-220 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا:1.8V @ 1A
الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس):1200V (1.2kV)
تجار الأجهزة حزمة:TO-220AC
سرعة:No Recovery Time > 500mA (Io)
سلسلة:-
عكس وقت الاسترداد (TRR):0ns
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-220-2
اسماء اخرى:1242-1125
GB01SLT12220
درجة حرارة التشغيل - تقاطع:-55°C ~ 175°C
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:18 Weeks
الصانع الجزء رقم:GB01SLT12-220
وصف موسع:Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 1A Through Hole TO-220AC
نوع الصمام الثنائي:Silicon Carbide Schottky
وصف:DIODE SCHOTTKY 1.2KV 1A TO220AC
التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي:2µA @ 1200V
الحالي - متوسط ​​مصحح (أيو):1A
السعة @ الواقع الافتراضي، F:69pF @ 1V, 1MHz
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات