FQPF19N10
FQPF19N10
رقم القطعة:
FQPF19N10
الصانع:
Fairchild/ON Semiconductor
وصف:
MOSFET N-CH 100V 13.6A TO-220F
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
18835 Pieces
ورقة البيانات:
FQPF19N10.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل FQPF19N10 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك FQPF19N10 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى FQPF19N10 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 250µA
فغس (ماكس):±25V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-220F
سلسلة:QFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:100 mOhm @ 6.8A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):38W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-220-3 Full Pack
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:6 Weeks
الصانع الجزء رقم:FQPF19N10
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:780pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:25nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 100V 13.6A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-220F
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):100V
وصف:MOSFET N-CH 100V 13.6A TO-220F
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:13.6A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات