FQI12N60CTU
FQI12N60CTU
رقم القطعة:
FQI12N60CTU
الصانع:
Fairchild/ON Semiconductor
وصف:
MOSFET N-CH 600V 12A I2PAK
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
16730 Pieces
ورقة البيانات:
FQI12N60CTU.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل FQI12N60CTU ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك FQI12N60CTU عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى FQI12N60CTU مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 250µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:I2PAK
سلسلة:QFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:650 mOhm @ 6A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):3.13W (Ta), 225W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:FQI12N60CTU
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:2290pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:63nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 600V 12A (Tc) 3.13W (Ta), 225W (Tc) Through Hole I2PAK
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):600V
وصف:MOSFET N-CH 600V 12A I2PAK
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:12A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات