FQI10N20CTU
FQI10N20CTU
رقم القطعة:
FQI10N20CTU
الصانع:
Fairchild/ON Semiconductor
وصف:
MOSFET N-CH 200V 9.5A I2PAK
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
16768 Pieces
ورقة البيانات:
FQI10N20CTU.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل FQI10N20CTU ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك FQI10N20CTU عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى FQI10N20CTU مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 250µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:I2PAK
سلسلة:QFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:360 mOhm @ 4.75A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):72W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:FQI10N20CTU
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:510pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:26nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 200V 9.5A (Tc) 72W (Tc) Through Hole I2PAK
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):200V
وصف:MOSFET N-CH 200V 9.5A I2PAK
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:9.5A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات