يشترى FQA70N10 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 250µA |
---|---|
فغس (ماكس): | ±25V |
تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
تجار الأجهزة حزمة: | TO-3PN |
سلسلة: | QFET® |
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 23 mOhm @ 35A, 10V |
تبديد الطاقة (ماكس): | 214W (Tc) |
التعبئة والتغليف: | Tube |
حزمة / كيس: | TO-3P-3, SC-65-3 |
درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
تصاعد نوع: | Through Hole |
مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
الصانع الجزء رقم: | FQA70N10 |
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 3300pF @ 25V |
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 110nC @ 10V |
نوع FET: | N-Channel |
FET الميزة: | - |
وصف موسع: | N-Channel 100V 70A (Tc) 214W (Tc) Through Hole TO-3PN |
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 100V |
وصف: | MOSFET N-CH 100V 70A TO-3P |
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 70A (Tc) |
Email: | [email protected] |