يشترى FDU068AN03L مع BYCHPS
شراء مع ضمان
FDU068AN03L
- رقم القطعة:
- FDU068AN03L
- الصانع:
- Fairchild/ON Semiconductor
- وصف:
- MOSFET N-CH 30V 35A I-PAK
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14877 Pieces
- ورقة البيانات:
- FDU068AN03L.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل FDU068AN03L ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك FDU068AN03L عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | IPAK (TO-251) |
| سلسلة: | PowerTrench® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 5.7 mOhm @ 35A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 80W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | FDU068AN03L |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 2525pF @ 15V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 60nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 30V 17A (Ta), 35A (Tc) 80W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف: | MOSFET N-CH 30V 35A I-PAK |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 17A (Ta), 35A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لFDU068AN03L
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BSP030,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 10A SOT223 | تحقيق |
 |
NTTFS4939NTWG | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 8.9A 8WDFN | تحقيق |
 |
IRFH7440TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 85A 8PQFN | تحقيق |
 |
IRF3707SPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK | تحقيق |
 |
IXFR26N60Q | IXYS | MOSFET N-CH 600V 23A ISOPLUS247 | تحقيق |
 |
IXTC102N25T | IXYS | MOSFET N-CH 250V ISOPLUS220 | تحقيق |
 |
CSD18509Q5B | Texas Instruments | MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON | تحقيق |
 |
MGSF1N03LT3G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT-23 | تحقيق |
 |
IXFH30N40Q | IXYS | MOSFET N-CH 400V 30A TO-247 | تحقيق |
|
STB21NM50N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 18A D2PAK | تحقيق |
 |
RCX220N25 | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 250V 22A TO220 | تحقيق |
 |
STD12N50DM2 | STMicroelectronics | N-CHANNEL 500 V, 0.35 OHM TYP., | تحقيق |
 |
NX7002BKR | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 60V TO-236AB | تحقيق |
|
BSC026N02KS G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 100A TDSON-8 | تحقيق |
|
SIHB28N60EF-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK | تحقيق |
 |
DMN10H099SFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333 | تحقيق |
 |
STF11N50M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 8A TO220FP | تحقيق |
|
SPB80N03S2L-05 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | تحقيق |
 |
FQPF30N06L | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 22.5A TO-220F | تحقيق |
 |
IXFX20N120 | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 20A ISOPLUS247 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers