FDI2532
رقم القطعة:
FDI2532
الصانع:
Fairchild/ON Semiconductor
وصف:
MOSFET N-CH 150V 79A TO-262AB
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
14792 Pieces
ورقة البيانات:
FDI2532.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل FDI2532 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك FDI2532 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى FDI2532 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 250µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:I2PAK (TO-262)
سلسلة:PowerTrench®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:16 mOhm @ 33A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):310W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:FDI2532
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:5870pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:107nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 150V 8A (Ta), 79A (Tc) 310W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):150V
وصف:MOSFET N-CH 150V 79A TO-262AB
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:8A (Ta), 79A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات