FDC855N
FDC855N
رقم القطعة:
FDC855N
الصانع:
Fairchild/ON Semiconductor
وصف:
MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-SSOT
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
17960 Pieces
ورقة البيانات:
FDC855N.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل FDC855N ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك FDC855N عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى FDC855N مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:3V @ 250µA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:SuperSOT™-6
سلسلة:PowerTrench®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:27 mOhm @ 6.1A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):1.6W (Ta)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
اسماء اخرى:FDC855NTR
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:12 Weeks
الصانع الجزء رقم:FDC855N
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:655pF @ 15V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:13nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 30V 6.1A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):4.5V, 10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):30V
وصف:MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-SSOT
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:6.1A (Ta)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات