يشترى FCP190N60 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
FCP190N60
- رقم القطعة:
- FCP190N60
- الصانع:
- Fairchild/ON Semiconductor
- وصف:
- MOSFET N-CH 600V TO220-3
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 20708 Pieces
- ورقة البيانات:
- FCP190N60.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل FCP190N60 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك FCP190N60 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 3.5V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-220 |
| سلسلة: | SuperFET® II |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 199 mOhm @ 10A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 208W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-220-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 7 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | FCP190N60 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 2950pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 74nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 600V 20.2A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220 |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 600V |
| وصف: | MOSFET N-CH 600V TO220-3 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 20.2A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لFCP190N60
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
FCP190N65F | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220-3 | تحقيق |
 |
FQA17N40 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 400V 17.2A TO-3P | تحقيق |
 |
STD9N40M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 400V 6A DPAK | تحقيق |
 |
PMV90EN,215 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT-23 | تحقيق |
 |
IRF7469 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 9A 8-SOIC | تحقيق |
 |
SPA16N50C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 560V 16A TO220FP | تحقيق |
 |
SQD35N05-26L-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 55V 30A TO252 | تحقيق |
 |
FCP190N60_GF102 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V TO-220-3 | تحقيق |
 |
NP90N04MUG-S18-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 40V 90A TO-263 | تحقيق |
 |
TPHR8504PL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP | تحقيق |
 |
STL100N8F7 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 80V 100A POWERFLAT | تحقيق |
|
FCP190N60E | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V TO220-3 | تحقيق |
 |
NVB5405NT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 16.5A D2PAK | تحقيق |
|
IPA50R950CE | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 4.3A PG-TO220FP | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers