العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > FCD5N60_F085
FCD5N60_F085
FCD5N60_F085
رقم القطعة:
FCD5N60_F085
الصانع:
Fairchild/ON Semiconductor
وصف:
MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
12214 Pieces
ورقة البيانات:
FCD5N60_F085.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل FCD5N60_F085 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك FCD5N60_F085 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى FCD5N60_F085 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:5V @ 250µA
فغس (ماكس):±30V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:D-Pak
سلسلة:Automotive, AEC-Q101, SuperFET™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:1.1 Ohm @ 4.6A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):54W (Tj)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
اسماء اخرى:FCD5N60_F085TR
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:6 Weeks
الصانع الجزء رقم:FCD5N60_F085
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:570pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:21nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 600V 4.6A (Tc) 54W (Tj) Surface Mount D-Pak
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):600V
وصف:MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:4.6A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لFCD5N60_F085

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IXKT70N60C5-TRL IXYS MOSFET P-CH 600V 68A TO-268 تحقيق
FCD5N60TF Image FCD5N60TF Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK تحقيق
RS1E320GNTB Image RS1E320GNTB Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 30V 32A 8-HSOP تحقيق
FCD5N60TM Image FCD5N60TM Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK تحقيق
FDC699P_F077 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 7A 6-SSOT تحقيق
FCD5N60TM_WS Image FCD5N60TM_WS Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK تحقيق
FKP250A Image FKP250A Sanken MOSFET N-CH 250V 50A TO-3PF تحقيق
STW38N65M5 Image STW38N65M5 STMicroelectronics MOSFET N-CH 650V 30A TO-247 تحقيق
PSMN7R0-40LS,115 NXP USA Inc. MOSFET N-CH 40V QFN3333 تحقيق
2SK2231(TE16R1,NQ) Image 2SK2231(TE16R1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD تحقيق
TK65G10N1,RQ Image TK65G10N1,RQ Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK تحقيق
AOD417 Image AOD417 Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET P-CH 30V 25A TO252 تحقيق
IXTH50P085 Image IXTH50P085 IXYS MOSFET P-CH 85V 50A TO-247AD تحقيق
IRF7779L2TR1PBF Image IRF7779L2TR1PBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 150V 375A DIRECTFET تحقيق

Latest الأخبار