يشترى FCD5N60_F085 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
FCD5N60_F085
- رقم القطعة:
- FCD5N60_F085
- الصانع:
- Fairchild/ON Semiconductor
- وصف:
- MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12214 Pieces
- ورقة البيانات:
- FCD5N60_F085.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل FCD5N60_F085 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك FCD5N60_F085 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±30V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | D-Pak |
| سلسلة: | Automotive, AEC-Q101, SuperFET™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 1.1 Ohm @ 4.6A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 54W (Tj) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| اسماء اخرى: | FCD5N60_F085TR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 6 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | FCD5N60_F085 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 570pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 21nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 600V 4.6A (Tc) 54W (Tj) Surface Mount D-Pak |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 600V |
| وصف: | MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 4.6A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لFCD5N60_F085
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXKT70N60C5-TRL | IXYS | MOSFET P-CH 600V 68A TO-268 | تحقيق |
 |
FCD5N60TF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK | تحقيق |
 |
RS1E320GNTB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 32A 8-HSOP | تحقيق |
|
FCD5N60TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK | تحقيق |
 |
FDC699P_F077 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 7A 6-SSOT | تحقيق |
|
FCD5N60TM_WS | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK | تحقيق |
 |
FKP250A | Sanken | MOSFET N-CH 250V 50A TO-3PF | تحقيق |
 |
STW38N65M5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 30A TO-247 | تحقيق |
 |
PSMN7R0-40LS,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 40V QFN3333 | تحقيق |
 |
2SK2231(TE16R1,NQ) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD | تحقيق |
 |
TK65G10N1,RQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK | تحقيق |
 |
AOD417 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET P-CH 30V 25A TO252 | تحقيق |
 |
IXTH50P085 | IXYS | MOSFET P-CH 85V 50A TO-247AD | تحقيق |
 |
IRF7779L2TR1PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 375A DIRECTFET | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers