DTA115EUAT106
DTA115EUAT106
رقم القطعة:
DTA115EUAT106
الصانع:
LAPIS Semiconductor
وصف:
TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
17513 Pieces
ورقة البيانات:
DTA115EUAT106.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل DTA115EUAT106 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك DTA115EUAT106 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى DTA115EUAT106 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس):50V
اصلاحات تشبع (ماكس) @ باء، جيم:300mV @ 250µA, 5mA
نوع الترانزستور:PNP - Pre-Biased
تجار الأجهزة حزمة:UMT3
سلسلة:-
المقاوم - باعث قاعدة (R2) (أوم):100k
المقاوم - قاعدة (R1) (أوم):100k
السلطة - ماكس:200mW
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:SC-70, SOT-323
اسماء اخرى:DTA115EUAT106-ND
DTA115EUAT106TR
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:10 Weeks
الصانع الجزء رقم:DTA115EUAT106
تردد - تحول:250MHz
وصف موسع:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 20mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3
وصف:TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3
العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE:82 @ 5mA, 5V
الحالي - جامع القطع (ماكس):500nA
الحالي - جامع (IC) (ماكس):20mA
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات