يشترى DSI30-08AS-TUB مع BYCHPS
شراء مع ضمان
DSI30-08AS-TUB
- رقم القطعة:
- DSI30-08AS-TUB
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- DIODE GEN PURP 800V 30A TO263
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14107 Pieces
- ورقة البيانات:
- DSI30-08AS-TUB.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل DSI30-08AS-TUB ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك DSI30-08AS-TUB عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1.29V @ 30A |
|---|---|
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 800V |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-263 (D²Pak) |
| سرعة: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| اسماء اخرى: | DSI30-08AS-TUBE DSI30-08AS-TUBE-ND |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -40°C ~ 175°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | DSI30-08AS-TUB |
| وصف موسع: | Diode Standard 800V 30A Surface Mount TO-263 (D²Pak) |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard |
| وصف: | DIODE GEN PURP 800V 30A TO263 |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 40µA @ 800V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 30A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | 10pF @ 400V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لDSI30-08AS-TUB
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
DSI30-16AS | IXYS | DIODE GEN PURP 1.6KV 30A TO263 | تحقيق |
 |
BAS 40 E6327 | Infineon Technologies | DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3 | تحقيق |
|
DSI30-12AS | IXYS | DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO263 | تحقيق |
|
DSI30-16AS-TUBE | IXYS | DIODE GEN PURP 1.6KV 30A TO263 | تحقيق |
 |
SCS110AGC | Rohm Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 600V 10A TO220AC | تحقيق |
|
DSI30-12AS-TUB | IXYS | DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO263 | تحقيق |
|
DSI30-08AS | IXYS | DIODE GEN PURP 800V 30A TO263 | تحقيق |
 |
DSI30-12A | IXYS | DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO220AC | تحقيق |
 |
UFS550G/TR13 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 500V 5A DO215AB | تحقيق |
 |
DSI30-08AC | IXYS | DIODE GEN 800V 30A ISOPLUS220 | تحقيق |
 |
VS-80SQ045 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 45V 8A DO204AR | تحقيق |
 |
MURS210T3G | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 2A SMB | تحقيق |
|
DSI30-16AS-TUB | IXYS | DIODE GEN PURP 1.6KV 30A TO263 | تحقيق |
|
DSI30-12AC | IXYS | DIODE GEN 1.2KV 30A ISOPLUS220 | تحقيق |
 |
JANTX1N3289 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 100A DO205AA | تحقيق |
|
DSI30-16A | IXYS | DIODE GEN PURP 1.6KV 30A TO220AC | تحقيق |
|
DSI30-08A | IXYS | DIODE GEN PURP 800V 30A TO220AC | تحقيق |
 |
VS-ETH3006STRR-M3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE HYPERFAST 30A D2PAK | تحقيق |
 |
CDBA2100-HF | Comchip Technology | DIODE SCHOTTKY 100V 2A DO214AC | تحقيق |
 |
STTH802G | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 8A D2PAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers