يشترى DSEP30-06CR مع BYCHPS
شراء مع ضمان
DSEP30-06CR
- رقم القطعة:
- DSEP30-06CR
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- DIODE GEN 600V 30A ISOPLUS247
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 19061 Pieces
- ورقة البيانات:
- DSEP30-06CR.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل DSEP30-06CR ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك DSEP30-06CR عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 3.07V @ 30A |
|---|---|
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 600V |
| تجار الأجهزة حزمة: | ISOPLUS247™ |
| سرعة: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| سلسلة: | HiPerDynFRED™ |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 15ns |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | ISOPLUS247™ |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -55°C ~ 175°C |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | DSEP30-06CR |
| وصف موسع: | Diode Standard 600V 30A Through Hole ISOPLUS247™ |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard |
| وصف: | DIODE GEN 600V 30A ISOPLUS247 |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 250µA @ 600V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 30A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لDSEP30-06CR
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
DSEP30-12CR | IXYS | DIODE GEN 1.2KV 30A ISOPLUS247 | تحقيق |
 |
DSEP30-03AS | IXYS | DIODE GEN PURP 300V 30A TO247AD | تحقيق |
|
DSEP30-12AR | IXYS | DIODE GEN 1.2KV 30A ISOPLUS247 | تحقيق |
 |
DSEP30-06A | IXYS | DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD | تحقيق |
 |
10ETS12S | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 1.2KV 10A D2PAK | تحقيق |
|
DSEP30-04A | IXYS | DIODE GEN PURP 400V 30A TO247AD | تحقيق |
|
DSEP30-12A | IXYS | DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247AD | تحقيق |
|
DSEP30-06B | IXYS | DIODE GEN 600V 30A ISOPLUS247 | تحقيق |
|
DSEP30-03A | IXYS | DIODE GEN PURP 300V 30A TO247AD | تحقيق |
 |
SD500R40PSC | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 4KV 475A B8 | تحقيق |
 |
DSEP30-06BR | IXYS | DIODE GEN 600V 30A ISOPLUS247 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers